MMBFJ309LT1G

    Транзистор польовий MOSFET
    8,00 ₴
    від: 1 шт.
    від: 72 шт. — 6,93 ₴
    від: 319 шт. — 6,26 ₴
    RF JFET, N CHANNEL, 25V, SOT-23: Breakdown Voltage Vbr: -25V: Gate-Source Cutoff Voltage Vgs (off) Max: -4V: Power Dissipation Pd: 225mW
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00032508
    Тип корпусу: SOT23-3
    Виробник:ONS
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Знайти PDF з Google
    Опис
    Категорія продукту JFET
    Виробник ON Semiconductor
    Вид монтажу SMD/SMT
    Корпус SOT-23-3
    Полярність транзистора N-Channel
    Конфігурація Single
    Vds - напруга пробою сток-витік 25 V
    Vds - напруга пробою затвор-витік 25 V
    Струм стоку при Vgs=0 12 mA to 30 mA
    Серія MMBFJ309L
    Тип JFET
    Характеристики
    Відгуки(0)