IRFP4668PBF

Лінійка силових N-канальних MOSFET транзисторів IRFP4xxx на напругу від 40 до 200 В відрізняється рекордно низьким опором відкритого каналу RDS(on). Воно на 40% нижче, ніж у інших транзисторів лінійки, і на 20-50% перевищує аналоги конкурентів. Крім того, втрати на проведення мінімальні порівняно з іншими компонентами у корпусах TO-247

Виробник	Infineon (IRF)
Тип транзистора	N-MOSFET
Полярність	польовий
Напруга сток-витік	200В
Струм стоку	130А
Потужність	520Вт
Корпус	TO247AC
Напруга затвор-витік	±30В
Опір у відкритому стані	9.7мОм
Заряд затвора	161нC
Технологія	HEXFET®

Транзистори призначені для синхронного випрямлення, активних ORing каскадів (в силових схемах АБО), а також для промислових застосувань, включаючи потужний DC привід, DC-AC інвертори та привід електроінструменту.

Переваги:
- Висока ефективність синхронного випрямлення в імпульсних джерелах живлення
- Висока швидкість перемикання
- Надійна робота в режимах жорсткого перемикання у широкому діапазоні частот
- Висока стійкість до лавинного пробою, dv/dt та di/dt
- Високі динамічні характеристики та низька потужність управління
- Нова Trench технологія кристала з ультранизким питомим опором каналу осередку
- Низький темп зростання опору каналу в залежності від напруги сток-витік
- зниження опору відкритого каналу до 2,5 рази в порівнянні з попереднім поколінням
- Найкращі показники опору відкритого каналу в галузі без застосування дорогих низькоомних корпусів та спеціальних схем розварювання кристала
- Високий вихідний струм
- Висока розсіювана потужність
- Знижений тепловий опір корпусу
- Недорогий стандартний корпус ТО-247АС
- відсутність необхідності паралельного включення транзисторів, зниження вартості тепловідведення
- рівень стійкості до вологості MSL-1