AONR66924

    Транзистор польовий MOSFET
    50,50 ₴
    від: 1 шт.
    від: 11 шт. — 45,98 ₴
    від: 48 шт. — 41,53 ₴
    N-Channel 100 V 13A (Ta), 32A (Tc) 5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00078192
    Тип корпусу: DFN-EP-8(3x3)
    Виробник:AOS
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Завантажити PDF - файл
    Опис

    Тип FET

    N-канальний

    Технологія

    MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

    Напруга сток-витік (Vdss)

    100 В

    Постійний струм стоку (Id) @ 25°C

    13 А (Ta), 32 А (Tc)

    Керуюча напруга (Vgs) для максимального та мінімального Rds On

    4.5, 10 В

    Опір сток-витік (Rds On, макс.) @ Id, Vgs

    13.5 мОм @ 20 А, 10 В

    Порогова напруга затвора (Vgs(th), макс.) @ Id

    2.6 В @ 250 мкА

    Заряд затвора (Qg, макс.) @ Vgs

    40 нКл @ 10 В

    Максимальна напруга затвора (Vgs, макс.)

    ±20 В

    Вхідна ємність (Ciss, макс.) @ Vds

    1450 пФ @ 50 В

    Потужність, що розсіюється (макс.)

    5 Вт (Ta), 30 Вт (Tc)

    Температурний діапазон експлуатації

    -55°C ~ 150°C (Tj)

    Тип монтажу

    Поверхневий монтаж

    Тип корпусу

    8-DFN-EP (3x3)

    Характеристики
    Відгуки(0)