AO3400A

    Транзистор польовий MOSFET
    3,00 ₴
    від: 1 шт.
    від: 213 шт. — 2,34 ₴
    від: 944 шт. — 2,12 ₴
    спец-ціна
    від: 1887 шт. — 2,01 ₴
    Транзистор: N-MOSFET: польовий: 30V: 4,7А: 1,4Вт
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00047221
    Тип корпусу: SOT23-3
    Виробник:AOS
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Знайти PDF з Google
    Опис
    Основними перевагами нових приладів у корпусах SOT-23 є менші Rds(on) та тепловий опір корпусу. Для оцінки переваги нових транзисторів будуть використовуватися переважно ці два параметри. Опір каналу MOSFET сильно залежить від напруги на затворі і від робочої температури. Для порівняльної оцінки опору в таблицях 1-7 наводяться дані для різних рівнів напруги на затворі. Ці дані особливо важливі для транзисторів з малою граничною напругою.
    Виробник ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
    Сімейство польовий транзистор FETs - Single
    Тип транзистора MOSFET P-Channel, Metal Oxide
    Логічний рівень ворота 2.5V Drive
    Сток витік напруження 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.7A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.5 mOhm 5.7A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
    Заряд затвора (Qg) Vgs 13nC @ 4.5V
    Вихідна ємність (Ciss) Vds 1100pF @ 15V
    Потужність макс. 1.4W
    Робоча температура -55...150°C
    Корпус SOT-23-3
    Порівняльні характеристики нових транзисторів у корпусі SOT-23 компанії IR та Alpha & Omega Semiconductor (AO3400, AO3400A)
    Найменування Тип/Макс. Rds(on) при 4,5 і 25°C, мОм Тест. Rds(on) при 4,5 і 25°C, мОм Макс. Rth(ja) (C/W)
    IRLML6344 22/29 22 100
    AO3400 19/33 25 125
    AO3400A 19/32 20 125
    Характеристики
    Відгуки(0)