YGW60N65F1A1

    Транзистор IGBT
    71,00 ₴
    від: 1 шт.
    від: 8 шт. — 66,15 ₴
    від: 33 шт. — 61,43 ₴
    60A 650V
    тимчасово не в наявності
    код товару: 00-00074509
    Тип корпусу: TO-247-3
    Виробник:LUXIN
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Завантажити PDF - файл
    Опис

    YGW60N65F1A1 — це потужний N-канальний MOSFET, призначений для використання у високовольтних та високострумових додатках. Ось основні характеристики та інформація про компонент:

    Застосування :
    Блоки живлення: Використовується в імпульсних джерелах живлення (SMPS) для підвищення ефективності перетворення енергії.
    Інвертори: Застосовується в інверторах для перетворення постійного струму на змінний.
    Моторні приводи: Використовується для керування електричними двигунами.
    Інші силові схеми: Застосовується в різних високовольтних та високострумових додатках, таких як системи розподілу енергії та потужні підсилювачі.


    Основні характеристики:
    Тип транзистора: N-канальний MOSFET
    Максимальна напруга витік-стік (Vds): 650 В
    Максимальний струм стоку (Id): 60 А
    Максимальна потужність розсіювання (Ptot): 312 Вт
    Корпус: TO-247

    Характеристики
    Відгуки(0)