SGT75T65SDM1P7

    Транзистор IGBT
    136,50 ₴
    від: 1 шт.
    від: 4 шт. — 127,39 ₴
    від: 17 шт. — 118,29 ₴
    спец-ціна
    від: 34 шт. — 112,38 ₴
    416 Вт, 650 В, 150 А
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00074480
    Тип корпусу: TO-247-3L
    Виробник:Silan Microelectronics
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Знайти PDF з Google
    Опис

    Тип каналу IGBT

    N

    Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), Вт

    416

    Максимальна напруга колектор-емітер | Vce |, В

    650

    Максимальна напруга затвор-емітер | Vge |, В

    20

    Максимальний струм колектора | Ic | при 25℃, А

    150

    Напруга насичення колектор-емітер | Vce (sat) |, тип.,

    1,65

    Максимальна гранична напруга GE | Vge (th) |, В

    7

    Максимальна температура переходу (Tj), ℃

    150

    Час наростання (tr), тип., НС

    42

    Місткість колектора (Cc), тип., пФ

    300

    Загальний заряд затвора (Qg), тип., нКл

    180

    Тип корпусу

    TO247

    Характеристики
    Відгуки(0)