SGT60T65FD1PN

    Транзистор IGBT
    105,00 ₴
    від: 1 шт.
    від: 5 шт. — 97,86 ₴
    від: 22 шт. — 90,87 ₴
    спец-ціна
    від: 45 шт. — 86,33 ₴
    450 Вт, 650 В, 120 А
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00074479
    Тип корпусу: TO-3P
    Виробник:Silan Microelectronics
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Знайти PDF з Google
    Опис

    Тип керуючого каналу

    N

    Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W

    450

    Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V

    650

    Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V

    20

    Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A

    120

    Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V

    2.2

    Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V

    6.5

    Максимальна температура переходу (Tj), ℃

    150

    Час наростання типовий (tr), nS

    190

    Ємність колектора типова (Cc), pf

    200

    Загальний заряд (Qg), typ, nC

    110

    Корпус

    TO-247

    Характеристики
    Відгуки(0)