SGT60N60FD1PN

    Транзистор IGBT
    78,50 ₴
    від: 1 шт.
    від: 7 шт. — 73,14 ₴
    від: 29 шт. — 67,92 ₴
    спец-ціна
    від: 59 шт. — 64,52 ₴
    321 Вт, 600 В, 120 А
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00074477
    Тип корпусу: TO-3P
    Виробник:Silan Microelectronics
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Завантажити PDF - файл
    Опис

    Тип керуючого каналу

    N

    Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W

    321

    Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V

    600

    Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V

    20

    Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A

    120

    Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V

    2.2

    Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V

    6.5

    Максимальна температура переходу (Tj), ℃

    150

    Час наростання типовий (tr), nS

    142

    Ємність колектора типова (Cc), pf

    294

    Загальний заряд (Qg), typ, nC

    179

    Корпус

    TO-3P
    Характеристики
    Відгуки(0)