SGT40U120FD1P7

    Транзистор IGBT
    101,00 ₴
    від: 1 шт.
    від: 5 шт. — 93,95 ₴
    від: 23 шт. — 87,24 ₴
    спец-ціна
    від: 46 шт. — 82,88 ₴
    IGBT + Diode, 312 W, 1200 V, 80 A @25℃, TO247
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00078618
    Тип корпусу: TO-247-3
    Виробник:Silan Microelectronics
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Знайти PDF з Google
    Опис

    Тип транзистора

    IGBT + Diode

    Тип керуючого каналу

    N

    Максимальна потужність, що розсіюється

    312 W

    Гранично-допустима напруга колектор-емітер

    1200 V

    Максимально допустима напруга емітер-затвор

    20 V

    Максимальний постійний струм колектора

    80 A @25℃

    Напруга насичення колектор-емітер типова

    2.2 V @25℃

    Максимальна гранична напруга затвор-емітер

    8 V

    Максимальна температура переходу

    150 ℃

    Час наростання типовий

    118 nS

    Вихідна ємність, типова

    140 pF

    Загальний заряд затвора

    134 nC

    Тип корпусу

    TO247

    Характеристики
    Відгуки(0)