SGT40T120FD1P7

    Транзистор IGBT
    150,50 ₴
    від: 1 шт.
    від: 4 шт. — 140,03 ₴
    від: 15 шт. — 130,03 ₴
    спец-ціна
    від: 31 шт. — 123,53 ₴
    NPN•312 W•1.2 kV•80 A
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00076649
    Тип корпусу: TO-247-3
    Виробник:Silan Microelectronics
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Завантажити PDF - файл
    Опис

    IGBT SGT40T120FD1P7 виготовлений з використанням технології траншеєвого поля із зупинкою четвертого покоління Silan. Він характеризується низькими втратами при провідності та перемиканні, а також позитивним температурним коефіцієнтом, що спрощує паралельну роботу. Цей пристрій застосовується в областях індукційного нагріву, ДБЖ (джерел безперебійного живлення), імпульсних джерел живлення (SMPS) та корекції коефіцієнта потужності (PFC).

    Основні характеристики:
    Струм: 40 A
    Напруга: 1200 В
    Тип корпусу: TO-247-3L
    Потужність, що розсіюється (при TC=25C): 570 W

    Особливості :
    Низькі втрати при провідності
    Надшвидке перемикання
    Висока пробивна напруга





    Характеристики
    Відгуки(0)