NGTG15N60S1EG

    Транзистор IGBT
    113,50 ₴
    від: 1 шт.
    від: 5 шт. — 105,80 ₴
    від: 20 шт. — 98,25 ₴
    БТІЗ транзистор, 30 А, 1.75 В, 117 Вт, 600 В, TO-220, 3 висновок(-ів)
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00065271
    Тип корпусу: TO-220-3
    Виробник:ONS-FAIR
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Знайти PDF з Google
    Опис
    Виробник ON Semiconductor
    Категорія продукту Біполярні транзистори із ізольованим затвором (IGBT)
    Технологія Si
    Тип корпусу TO-220-3
    Вид монтажу Through Hole
    Напруга колектор-емітер (VCEO), макс. 600 V
    Напруга насичення колектор-емітер 1.95 V
    Максимальна напруга затвор-емітер 20 V
    Безперервний колекторний струм при 25 °C 30 A
    Pd - розсіювання потужності 47 W
    Струм витоку затвор-емітер 100 nA
    Характеристики
    Відгуки(0)