NCE60TD65BT

    Транзистор IGBT
    70,00 ₴
    від: 1 шт.
    від: 8 шт. — 64,87 ₴
    від: 33 шт. — 60,24 ₴
    IGBT + Diode, 319Вт, 650В, 120А, TO247
    тимчасово не в наявності
    Очікується надходження: 05.03.2026
    код товару: 00-00075416
    Тип корпусу: TO-247-3
    Виробник:NCE
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Завантажити PDF - файл
    Опис

    Тип транзистора

    IGBT + Diode

    Тип керуючого каналу

    N

    Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W

    319

    Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V

    650

    Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V

    30

    Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A

    120

    Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V

    1.6

    Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V

    6

    Максимальна температура переходу (Tj), ℃

    175

    Час наростання типовий (tr), nS

    17

    Ємність колектора типова (Cc), pf

    199

    Загальний заряд (Qg), typ, nC

    262

    Тип корпусу

    TO247

    Характеристики
    Відгуки(0)