NCE30TD60BD

    Транзистор IGBT
    57,50 ₴
    від: 1 шт.
    від: 10 шт. — 52,24 ₴
    від: 42 шт. — 47,19 ₴
    IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00076412
    Тип корпусу: TO-263(D2PAK)
    Виробник:NCE
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Знайти PDF з Google
    Опис

    Тип транзистора

    IGBT + Diode

    Тип керуючого каналу

    N

    Максимальна потужність, що розсіюється

    190 W

    Гранично-допустима напруга колектор-емітер

    600 V

    Максимально допустима напруга емітер-затвор

    30 V

    Максимальний постійний струм колектора

    60 A @25℃

    Напруга насичення колектор-емітер типова

    1.7 V @25℃

    Максимальна гранична напруга затвор-емітер

    6 V

    Максимальна температура переходу

    150 ℃

    Час наростання типовий

    17 nS

    Вихідна ємність, типова

    106 pF

    Загальний заряд затвора

    132 nC

    Характеристики
    Відгуки(0)