NCE10TD60BK

    Транзистор IGBT
    23,00 ₴
    від: 1 шт.
    від: 24 шт. — 20,65 ₴
    від: 107 шт. — 18,64 ₴
    IGBT + Diode, N, 83 W, 600 V, 20 A @25℃, 15 nS, 40 pF, 44 nC.
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00076405
    Тип корпусу: TO-252(DPAK)
    Виробник:NCE
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Знайти PDF з Google
    Опис

    Найменування

    NCE10TD60BK

    Тип транзистора

    IGBT + Diode

    Тип керуючого каналу

    N

    Максимальна потужність, що розсіюється

    83 W

    Гранично-допустима напруга колектор-емітер

    600 V

    Максимально допустима напруга емітер-затвор

    30 V

    Максимальний постійний струм колектора

    20 A @25℃

    Напруга насичення колектор-емітер типова

    1.7 V @25℃

    Максимальна гранична напруга затвор-емітер

    6 V

    Максимальна температура переходу

    150 ℃

    Час наростання типовий

    15 nS

    Вихідна ємність, типова

    40 pF

    Загальний заряд затвора

    44 nC

    Характеристики
    Відгуки(0)