HGTG5N120BND

    Транзистор IGBT
    91,50 ₴
    від: 1 шт.
    від: 6 шт. — 83,07 ₴
    від: 27 шт. — 75,03 ₴
    спец-ціна
    від: 54 шт. — 71,28 ₴
    БТІЗ транзистор, 21 А, 2.7 В, 167 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00032683
    Тип корпусу: TO-247AD-3
    Виробник:ONS-FAIR
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Знайти PDF з Google
    Опис
    Категорія продукту Біполярні транзистори із ізольованим затвором (IGBT)
    Виробник ON Semiconductor
    Технологія Si
    Корпус TO-247-3
    Вид монтажу Through Hole
    Конфігурація Single
    Напруга колектор-емітер (VCEO), макс. 1200 V
    Напруга насичення колектор-емітер 2.45 V
    Максимальна напруга затвор-емітер +/- 20 V
    Безперервний колекторний струм при 25 °C 21 A
    Pd - розсіювання потужності 167 W
    Мінімальна робоча температура - 55 C
    Максимальна робоча температура + 150 C
    Серія HGTG5N120BND
    Безперервний колекторний струм 21 A
    Безперервний струм колектора Ic, макс. 21 A
    Струм витоку затвор-емітер +/- 250 nA
    Висота 20.82 mm
    Довжина 15.87 mm
    Ширина 4.82 mm
    Інші назви товару № HGTG5N120BND_NL
    Характеристики
    Відгуки(0)