FGH40T65SPD-F155

    Транзистор IGBT
    448,50 ₴
    від: 1 шт.
    від: 2 шт. — 418,29 ₴
    від: 5 шт. — 388,41 ₴
    IGBT транзистор, 80 А, 1.85 В, 267 Вт, 650 В
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00062197
    Тип корпусу: TO-247-3
    Виробник:ONS
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Знайти PDF з Google
    Опис
    Виробник ON Semiconductor
    Категорія продукту Біполярні транзистори із ізольованим затвором (IGBT)
    Технологія Si
    Тип корпусу TO-247-3
    Вид монтажу Through Hole
    Конфігурація Single
    Напруга колектор-емітер (VCEO), макс. 650 V
    Напруга насичення колектор-емітер 2.51 V
    Максимальна напруга затвор-емітер 20 V
    Безперервний колекторний струм при 25 °C 80 A
    Pd - розсіювання потужності 267 W
    Робоча температура - 55 ... + 175 C
    Безперервний струм колектора Ic, макс. 40 A
    Струм витоку затвор-емітер 400 nA
    Характеристики
    Відгуки(0)