FGA5065ADF

    Транзистор IGBT
    238,00 ₴
    від: 1 шт.
    від: 2 шт. — 221,82 ₴
    від: 10 шт. — 205,98 ₴
    Транзистор 50A 650V Pd - розсіювання потужності: 268 W
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00070942
    Тип корпусу: TO-3PN
    Виробник:ONS-FAIR
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Знайти PDF з Google
    Опис

    Продукт

    IGBT-транзистори

    Технологія

    Si

    Корпус

    TO-3P[N]

    Тип монтажу

    Наскрізний отвір

    Конфігурація

    Поодинока

    Напруга колектор-емітер VCEO Макс.

    650 В

    Напруга насичення колектор-емітер

    1,7 В

    Максимальна напруга затвор-емітер

    - 20 В, 20 В

    Безперервний струм колектора при 25 C

    100 А

    Pd - Розсіювана потужність

    268 Вт

    Робоча температура

    - 55...175 С

    Безперервний струм колектора Ic Макс.

    50 А

    Струм витоку затвор-емітер

    +/- 400 нА

    Характеристики
    Відгуки(0)