SGT75T65SDM1P7

    Транзистор IGBT
    136,50 ₴
    от: 1 шт.
    от: 4 шт. — 127,39 ₴
    от: 17 шт. — 118,29 ₴
    спец-цена
    от: 34 шт. — 112,38 ₴
    416 Вт, 650 В, 150 А
    ЕСТЬ НА СКЛАДЕ, МОЖНО КУПИТЬ ПРЯМО СЕЙЧАС
    код товара: 00-00074480
    Тип корпуса: TO-247-3L
    Производитель:Silan Microelectronics
    Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
    Найти PDF с Google
    Описание

    Тип канала IGBT

     N

    Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), Вт

     416

    Максимальное напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, В

     650

    Максимальное напряжение затвор-эмиттер |Vge|, В

     20

    Максимальный ток коллектора |Ic| при 25℃, А

     150

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |Vce(sat)|, тип., В

     1,65

    Максимальное пороговое напряжение GE |Vge(th)|, В

     7

    Максимальная температура перехода (Tj), ℃

     150

    Время нарастания (tr), тип., нС

     42

    Емкость коллектора (Cc), тип., пФ

     300

    Общий заряд затвора (Qg), тип., нКл

     180

    Тип корпуса

     TO247
    Характеристики
    Отзывы(0)