SGT60T65FD1PN

    Транзистор IGBT
    105,00 ₴
    от: 1 шт.
    от: 5 шт. — 97,86 ₴
    от: 22 шт. — 90,87 ₴
    спец-цена
    от: 45 шт. — 86,33 ₴
    450 Вт, 650 В, 120 А
    ЕСТЬ НА СКЛАДЕ, МОЖНО КУПИТЬ ПРЯМО СЕЙЧАС
    код товара: 00-00074479
    Тип корпуса: TO-3P
    Производитель:Silan Microelectronics
    Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
    Найти PDF с Google
    Описание

     Тип управляющего канала

     N

    Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W

     450

    Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V

     650

    Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V

     20

    Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A

     120

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V

     2.2

    Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V

     6.5

    Максимальная температура перехода (Tj), ℃

     150

    Время нарастания типовое (tr), nS

     190

    Емкость коллектора типовая (Cc), pf

     200

    Общий заряд затвора (Qg), typ, nC

     110

    Корпус

     TO-247
    Характеристики
    Отзывы(0)