SGT60N60FD1PN

    Транзистор IGBT
    78,50 ₴
    от: 1 шт.
    от: 7 шт. — 73,14 ₴
    от: 29 шт. — 67,92 ₴
    спец-цена
    от: 59 шт. — 64,52 ₴
    321 Вт, 600 В, 120 А
    ЕСТЬ НА СКЛАДЕ, МОЖНО КУПИТЬ ПРЯМО СЕЙЧАС
    код товара: 00-00074477
    Тип корпуса: TO-3P
    Производитель:Silan Microelectronics
    Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
    Скачать PDF - файл
    Описание

    Тип управляющего канала

     N

    Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W

     321

    Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V

     600

    Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V

     20

    Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A

     120

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V

     2.2

    Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V

     6.5

    Максимальная температура перехода (Tj), ℃

     150

    Время нарастания типовое (tr), nS

     142

    Емкость коллектора типовая (Cc), pf

     294

    Общий заряд затвора (Qg), typ, nC

     179

    Корпус

      TO-3P
    Характеристики
    Отзывы(0)