SGT40U120FD1P7

    Транзистор IGBT
    101,00 ₴
    от: 1 шт.
    от: 5 шт. — 93,95 ₴
    от: 23 шт. — 87,24 ₴
    спец-цена
    от: 46 шт. — 82,88 ₴
    IGBT + Diode, 312 W, 1200 V, 80 A @25℃, TO247
    ЕСТЬ НА СКЛАДЕ, МОЖНО КУПИТЬ ПРЯМО СЕЙЧАС
    код товара: 00-00078618
    Тип корпуса: TO-247-3
    Производитель:Silan Microelectronics
    Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
    Найти PDF с Google
    Описание

    Тип транзистора

     IGBT + Diode

    Тип управляющего канала

     N

    Максимальная рассеиваемая мощность

     312 W

    Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер

     1200 V

    Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор

     20 V

    Максимальный постоянный ток коллектора

     80 A @25℃

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое

     2.2 V @25℃

    Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер

     8 V

    Максимальная температура перехода

     150 ℃

    Время нарастания типовое

     118 nS

    Выходная емкость, типовая

     140 pF

    Общий заряд затвора, typ

     134 nC

    Тип корпуса

     TO247
    Характеристики
    Отзывы(0)