SGT40T120FD1P7

    Транзистор IGBT
    150,50 ₴
    от: 1 шт.
    от: 4 шт. — 140,03 ₴
    от: 15 шт. — 130,03 ₴
    спец-цена
    от: 31 шт. — 123,53 ₴
    NPN•312 W•1.2 kV•80 A
    ЕСТЬ НА СКЛАДЕ, МОЖНО КУПИТЬ ПРЯМО СЕЙЧАС
    код товара: 00-00076649
    Тип корпуса: TO-247-3
    Производитель:Silan Microelectronics
    Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
    Скачать PDF - файл
    Описание

    IGBT SGT40T120FD1P7 изготовлен с использованием технологии траншеевого поля с остановкой четвёртого поколения Silan. Он характеризуется низкими потерями при проводимости и переключении, а также положительным температурным коэффициентом, что упрощает параллельную работу. Это устройство применяется в областях индукционного нагрева, ИБП (источников бесперебойного питания), импульсных источников питания (SMPS) и коррекции коэффициента мощности (PFC).
     

    Основные характеристики:
    Ток: 40 A
    Напряжение: 1200 В
    Тип корпуса: TO-247-3L
    Рассеиваемая мощность (при TC=25C): 570 W

     

    Особенности:
    Низкие потери при проводимости
    Сверхбыстрое переключение
    Высокое пробивное напряжение





     

    Характеристики
    Отзывы(0)