MOCD217R2M

Производитель

 onsemi

Вид монтажа

 SMD/SMT

Тип корпуса

 SOIC-Narrow-8

Количество каналов

 2 Channel

Напряжение изоляции

 2500 Vrms

Тип выхода

 NPN Phototransistor

Минимальный коэффициент усиления по току

 100 %

If - прямой ток

 60 mA

Vf - прямое напряжение

 1.3 V

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер

 30 V

Максимальный коллекторный ток

 150 mA

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 400 mV

Время нарастания

 3.2 us

Время спада

 4.7 us

Vr - обратное напряжение

 6 V

Pd - рассеивание мощности

 240 mW

Рабочая температура

 - 40 C … + 100 C

Конфигурация

 2 Channel

Коэффициент передачи по току

 100 %

Высота

 3.43 mm

Длина

 5.13 mm

Ширина

 4.16 mm