CSD19536KTT

    Транзистор польовий MOSFET
    149,00 ₴
    від: 1 шт.
    від: 4 шт. — 138,62 ₴
    від: 16 шт. — 128,72 ₴
    спец-ціна
    від: 32 шт. — 122,28 ₴
    MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00068204
    Тип корпусу: TO-263(D2PAK)
    Виробник:TI
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Знайти PDF з Google
    Опис
    Технологія Si
    Вид монтажу SMD/SMT
    Полярність транзистора N-Channel
    Кількість каналів 1 Channel
    Vds - напруга пробою сток-витік 100 V
    Id - безперервний струм витоку 272 A
    Rds Вкл - опір сток-витік 2.4 mOhms
    Vgs - напруга затвор-витік - 20 V, + 20 V
    Vgs th - гранична напруга затвор-витік 2.1 V
    Qg – заряд затвора 118 nC
    Мінімальна робоча температура - 55 C
    Максимальна робоча температура + 175 C
    Pd - розсіювання потужності 375 W
    Канальний режим Enhancement
    Конфігурація Single
    Час спаду 6 ns
    Висота 4.7 mm
    Довжина 9.25 mm
    Чутливий до вологості Yes
    Час наростання 8 ns
    Серія CSD19536KTT
    Тип транзистора 1 N-Channel
    Типовий час затримки вимкнення 32 ns
    Типовий час затримки під час увімкнення 13 ns
    Ширина 10.26 mm
    Вага виробу 2.200 g
    Характеристики
    Відгуки(0)