CSD19532KTTT

    Транзистор польовий MOSFET
    84,00 ₴
    від: 1 шт.
    від: 6 шт. — 78,37 ₴
    від: 27 шт. — 72,77 ₴
    спец-ціна
    від: 55 шт. — 69,13 ₴
    MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
    Є НА СКЛАДІ, МОЖНА КУПИТИ ПРЯМО ЗАРАЗ
    код товару: 00-00068191
    Тип корпусу: TO-263(D2PAK)
    Виробник:TI
    Фото на сайті може відрізнятись від реального виду предмета, але це не впливає на основні характеристики виробу
    Знайти PDF з Google
    Опис
    Технологія Si
    Вид монтажу SMD/SMT
    Полярність транзистора N-Channel
    Кількість каналів 1 Channel
    Vds - напруга пробою сток-витік 100 V
    Id - безперервний струм витоку 200 A
    Rds Вкл - опір сток-витік 5.6 mOhms
    Vgs - напруга затвор-витік - 20 V, + 20 V
    Vgs th - гранична напруга затвор-витік 2.6 V
    Qg – заряд затвора 44 nC
    Мінімальна робоча температура - 55 C
    Максимальна робоча температура + 175 C
    Pd - розсіювання потужності 250 W
    Канальний режим Enhancement
    Комерційне позначення NexFET
    Конфігурація Single
    Час спаду 2 ns
    Висота 19.7 mm
    Довжина 9.25 mm
    Чутливий до вологості Yes
    Час наростання 3 ns
    Серія CSD19532KTT
    Тип N-Channel MOSFET
    Типовий час затримки вимкнення 14 ns
    Типовий час затримки під час увімкнення 9 ns
    Ширина 10.26 mm
    Вага виробу 2 g
    Характеристики
    Відгуки(0)