IRFP4668PBF

Линейка силовых N-канальных MOSFET транзисторов IRFP4xxx на напряжение от 40 до 200 В отличается рекордно низким сопротивлением открытого канала RDS(on). Оно на 40% ниже, чем у других транзисторов линейки, и на 20-50% превосходит аналоги конкурентов. Кроме того, потери на проведение минимальны по сравнению с другими компонентами в корпусах TO-247

Производитель	Infineon (IRF)
Тип транзистора	N-MOSFET
Полярность	полевой
Напряжение сток-исток	200В
Ток стока	130А
Мощность	520Вт
Корпус	TO247AC
Напряжение затвор-исток	±30В
Сопротивление в открытом состоянии	9.7мОм
Заряд затвора	161нC
Технология	HEXFET®

Транзисторы предназначены для синхронного выпрямления, для активных ORing каскадов (в силовых схемах ИЛИ), а также для промышленных применений, включая мощный DC привод, DC-AC инверторы и привод электроинструмента.

Преимущества:
- Высокая эффективность синхронного выпрямления в импульсных источниках питания
- Высокая скорость переключения
- Надежная работа в режимах жесткого переключения в широком диапазоне частот
- Высокая устойчивость к лавинному пробою, dv/dt и di/dt
- Высокие динамические характеристики и низкая мощность управления
- Новейшая Trench технология кристалла с ультранизким удельным сопротивлением канала ячейки
- Низкий темп роста сопротивления канала в зависимости от напряжения сток-исток
- Снижение сопротивления открытого канала до 2,5 раза по сравнению с предыдущим поколением
- Лучшие показатели сопротивления открытого канала в отрасли без применения дорогих низкоомных корпусов и специальных схем разварки кристалла
- Высокий выходной ток
- Высокая рассеиваемая мощность
- Сниженное тепловое сопротивление корпуса
- Недорогой стандартный корпус ТО-247АС
- Отсутствие необходимости параллельного включения транзисторов, снижение стоимости теплоотвода
- Уровень устойчивости к влажности MSL-1