AONR66924

    Транзистор полевой MOSFET
    50,50 ₴
    от: 1 шт.
    от: 11 шт. — 45,98 ₴
    от: 48 шт. — 41,53 ₴
    N-Channel 100 V 13A (Ta), 32A (Tc) 5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
    ЕСТЬ НА СКЛАДЕ, МОЖНО КУПИТЬ ПРЯМО СЕЙЧАС
    код товара: 00-00078192
    Тип корпуса: DFN-EP-8(3x3)
    Производитель:AOS
    Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
    Скачать PDF - файл
    Описание

    Тип FET

     N-канальный

    Технология

     MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

    Напряжение сток-исток (Vdss)

     100 В

    Постоянный ток стока (Id) @ 25°C

     13 А (Ta), 32 А (Tc)

    Управляющее напряжение (Vgs) для максимального и минимального Rds On

     4.5 В, 10 В

    Сопротивление сток-исток (Rds On, макс.) @ Id, Vgs

     13.5 мОм @ 20 А, 10 В

    Пороговое напряжение затвора (Vgs(th), макс.) @ Id

     2.6 В @ 250 мкА

    Заряд затвора (Qg, макс.) @ Vgs

     40 нКл @ 10 В

    Максимальное напряжение затвора (Vgs, макс.)

     ±20 В

    Входная емкость (Ciss, макс.) @ Vds

     1450 пФ @ 50 В

    Рассеиваемая мощность (макс.)

     5 Вт (Ta), 30 Вт (Tc)

    Температурный диапазон эксплуатации

     -55°C ~ 150°C (Tj)

    Тип монтажа

     Поверхностный монтаж

    Тип корпуса

     8-DFN-EP (3x3)
    Характеристики
    Отзывы(0)