NCE60TD65BT

    Транзистор IGBT
    70,00 ₴
    от: 1 шт.
    от: 8 шт. — 64,87 ₴
    от: 33 шт. — 60,24 ₴
    IGBT + Diode, 319Вт, 650В, 120А, TO247
    временно нет на складе
    ожидается поступление: 05.03.2026
    код товара: 00-00075416
    Тип корпуса: TO-247-3
    Производитель:NCE
    Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
    Скачать PDF - файл
    Описание

    Тип транзистора

     IGBT + Diode

    Тип управляющего канала

     N

    Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W

     319

    Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V

     650

    Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V

     30

    Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A

     120

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V

     1.6

    Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V

     6

    Максимальная температура перехода (Tj), ℃

     175

    Время нарастания типовое (tr), nS

     17

    Емкость коллектора типовая (Cc), pf

     199

    Общий заряд затвора (Qg), typ, nC

     262

    Тип корпуса

     TO247
    Характеристики
    Отзывы(0)