NCE50TD120VTP

    Транзистор IGBT
    219,50 ₴
    от: 1 шт.
    от: 3 шт. — 199,86 ₴
    от: 11 шт. — 180,52 ₴
    Транзистор IGBT + Diode, 535Вт, 1200В, 100А, TO-247P
    ЕСТЬ НА СКЛАДЕ, МОЖНО КУПИТЬ ПРЯМО СЕЙЧАС
    код товара: 00-00077653
    Тип корпуса: SUPER-247
    Производитель:NCE
    Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
    Найти PDF с Google
    Описание

    Тип транзистора

     IGBT + Diode

    Тип управляющего канала

     N

    Тип корпуса

     TO247P

    Максимальная рассеиваемая мощность

     535 W

    Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер

     1200 V

    Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор

     30 V

    Максимальный постоянный ток коллектора

     100 A @25℃

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

     1.7 V @25℃

    Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер

     6 V

    Максимальная температура перехода

     175 ℃

    Время нарастания

     17 nS

    Выходная емкость

     220 pF

    Общий заряд затвора

     370 nC
    Характеристики
    Отзывы(0)