NCE30TD60BD

    Транзистор IGBT
    57,50 ₴
    от: 1 шт.
    от: 10 шт. — 52,24 ₴
    от: 42 шт. — 47,19 ₴
    IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
    ЕСТЬ НА СКЛАДЕ, МОЖНО КУПИТЬ ПРЯМО СЕЙЧАС
    код товара: 00-00076412
    Тип корпуса: TO-263(D2PAK)
    Производитель:NCE
    Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
    Найти PDF с Google
    Описание

    Тип транзистора

     IGBT + Diode

    Тип управляющего канала

     N

    Максимальная рассеиваемая мощность

     190 W

    Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер

     600 V

    Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор

     30 V

    Максимальный постоянный ток коллектора

     60 A @25℃

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое

     1.7 V @25℃

    Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер

     6 V

    Максимальная температура перехода

     150 ℃

    Время нарастания типовое

     17 nS

    Выходная емкость, типовая

     106 pF

    Общий заряд затвора, typ

     132 nC
    Характеристики
    Отзывы(0)