NCE20TD60BF

    Транзистор IGBT
    37,00 ₴
    от: 1 шт.
    от: 15 шт. — 34,34 ₴
    от: 63 шт. — 31,89 ₴
    спец-цена
    от: 126 шт. — 30,30 ₴
    IGBT + Diode, N, 34.5 W, 600 V, 1.7 V @25℃, 16 nS, 48 pF, 97 nC.
    ЕСТЬ НА СКЛАДЕ, МОЖНО КУПИТЬ ПРЯМО СЕЙЧАС
    код товара: 00-00076408
    Тип корпуса: TO-220F-3
    Производитель:NCE
    Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
    Найти PDF с Google
    Описание

    Тип транзистора

     IGBT + Diode

    Тип управляющего канала

     N

    Максимальная рассеиваемая мощность

     34.5 W

    Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер

     600 V

    Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор

     30 V

    Максимальный постоянный ток коллектора

     40 A @25℃

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое

     1.7 V @25℃

    Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер

     6 V

    Максимальная температура перехода

     150 ℃

    Время нарастания типовое

     16 nS

    Выходная емкость, типовая

     48 pF

    Общий заряд затвора, typ

     97 nC
    Характеристики
    Отзывы(0)