NCE15TD60BD

    Транзистор IGBT
    46,00 ₴
    от: 1 шт.
    от: 12 шт. — 42,78 ₴
    от: 50 шт. — 39,72 ₴
    IGBT + Diode, N, 105 W, 600 V, 30 V, 30 A @25℃, 12 nS, 50 pF, 63 nC.
    ЕСТЬ НА СКЛАДЕ, МОЖНО КУПИТЬ ПРЯМО СЕЙЧАС
    код товара: 00-00076406
    Тип корпуса: TO-263(D2PAK)
    Производитель:NCE
    Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
    Найти PDF с Google
    Описание

    Тип транзистора

     IGBT + Diode

    Тип управляющего канала

     N

    Максимальная рассеиваемая мощность

     105 W

    Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер

     600 V

    Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор

     30 V

    Максимальный постоянный ток коллектора

     30 A @25℃

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое

     1.7 V @25℃

    Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер

     6 V

    Максимальная температура перехода

     150 ℃

    Время нарастания типовое

     12 nS

    Выходная емкость, типовая

     50 pF

    Общий заряд затвора, typ

     63 nC
    Характеристики
    Отзывы(0)