NCE10TD60BK

    Транзистор IGBT
    23,00 ₴
    от: 1 шт.
    от: 24 шт. — 20,65 ₴
    от: 107 шт. — 18,64 ₴
    IGBT + Diode, N, 83 W, 600 V, 20 A @25℃, 15 nS, 40 pF, 44 nC.
    ЕСТЬ НА СКЛАДЕ, МОЖНО КУПИТЬ ПРЯМО СЕЙЧАС
    код товара: 00-00076405
    Тип корпуса: TO-252(DPAK)
    Производитель:NCE
    Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
    Найти PDF с Google
    Описание

    Наименование

     NCE10TD60BK

    Тип транзистора

     IGBT + Diode

    Тип управляющего канала

     N

    Максимальная рассеиваемая мощность

     83 W

    Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер

     600 V

    Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор

     30 V

    Максимальный постоянный ток коллектора

     20 A @25℃

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое

     1.7 V @25℃

    Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер

     6 V

    Максимальная температура перехода

     150 ℃

    Время нарастания типовое

     15 nS

    Выходная емкость, типовая

     40 pF

    Общий заряд затвора, typ

     44 nC
    Характеристики
    Отзывы(0)